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全自动动态吸附仪
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商品型号:DAS-7200
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全自动动态吸附仪


(1) 产品介绍

DAS-7200全自动多功能动态吸附仪是一款完全自主创新的高品质高性能的自动化动态吸附仪,可以实现加压,主要可用于化学吸附的测量,操作方式有程序升温(氧化还原性能、表面酸碱性、表面物种结构和吸附能力)和化学滴定(吸附量、单点化学表面积、多点化学表面积、分散度和颗粒度等)。

该装置可采用全自动和手动操作模式。使用全自动模式时,可以在设置程序后点击鼠标,仪器自动完成程序过程,并记录实验数据,也可以使用手动操作模式,可实时对程序和测试方法进行添加或修改,方便操作者的操作。该装置配备完整的测控和数据分析软件,可完成测定结果的自动化生成,与此同时可对已测定结果进行数据后处理。该吸附仪配备自主研发的高灵敏性检测器,死体积小,灵敏度高,升温过程中基线平稳。除此之外,简便的结构形式方便其与其他分析仪器耦合使用,例如质谱等。总的来说,相比于国内外同类产品,该装置具有更高的精度、死体积小、重复性好、操作简便等优势。


(2) 特点

1. 适用于块状和颗粒状样品;

2. 该装置可采用全自动和手动操作模式。使用全自动模式时,可以在设置程序后点击鼠标,仪器自动完成程序过程,并记录实验数据,也可以使用手动操作模式,可实时对程序和测试方法进行添加或修改,方便操作者的操作;

3. 一般在常压下实验,也可实现加压;

4. 配备全自动六通阀,可实现程序升温还原、程序升温氧化、程序升温脱附以及脉冲滴定等过程;

5. 该装置配备完整的测试软件,测试程序可根据客户要求进行编程,并可完成测定结果的自动化生成,与此同时可对已测定结果进行数据后处理;

6. 采用直式反应炉结构,温度控制精确,程序控温线性度高;

7. 带有注射口,注射垫片可更换,方便定量;

8. 通过阀门切换可实现气体经过或不经过TCD检测器,防止TCD检测器被有毒气体或者腐蚀性气体腐蚀;

9. 仪器尾气出口可与色谱(GC)、红外(IR)、质谱(MASS)等分析仪器联用;

10. 采用自动进样六通阀,六通阀外置定量环,配备定量环体积为0.5 ml/1 ml

11. 配有可触摸高清电阻屏,可实时设置流量计流量、TCD温度、TCD桥流等信息;

12. 小型化结构,尺寸为520 mm(宽)*460 mm(高)*410 mm(厚)。


(3) 主要技术指标

1. 反应炉温度:0~1200 oC(长期恒温温度不低于900 oC);

2. 反应炉温度曲线:线性可达到99.999%,重复性低于1 oC

3. 程序升温速率:0.5~90 oC/min,也可以设置程序降温程序;

4. 催化剂装样体积:0~1 ml(一般使用50~100 mg);

5. 配备两路质量流量计,准确度±1.5% F.S,线性偏差±1.5% F.S,精度±0.2% F.S

6. 软件上设置多段温度程序,具有独立的PID参数,控制精度:0.2% FS

7. 降温快,从1000 oC下降至100 oC只需要10 min

8. TCD死体积<0.02 ml,灵敏度>108 mol-1(NH3)

9. TCD稳定性好,控温精度<±0.1 oC

 

(4) 软件操作界面

 自动化运行界面.png

自动化运行界面 

手动运行界面.png

手动操作界面

优点:

1. 包括自动化和手动界面,可实现自动化操作过程,实现无人坚守;也可以进行手动操作过程;

2. 实时监控仪器全状态,可实时获取流量计流量、温度、桥流等信息;

3. 可手动编辑多达14段温度程序,可点击执行和降温按钮即实行程序运行;

4. 可在配置界面内配置需要的程序,也可以使用软件自带的标准程序,或进行进一步地编辑和修改,调出该程序后即自动运行。


(5) 实验数据

5.1 H2-TPR谱图

测试条件:取0.1g 活性碳负载催化剂在He气氛150 oC下处理1 h后降至室温,切换为5%H2/N2,待基线平稳后程序升温至600 oC,桥流120 mA H2/N2混气流量30 ml/min不同焙烧温度处理的CuO基催化剂的H2-TPR谱图.emf.png

不同焙烧温度处理的CuO基催化剂的H2-TPR谱图

5.2 NH3-TPD谱图

测试条件:取0.1g ZSM-5负载催化剂在He气氛550 oC下处理30 min,后降温至100 oC,转为NH3吸附1 h后再通入He进行吹扫,待基线平稳后程序升温至900 oC,桥流120 mA,载气He流量40 ml/min   ZSM-5负载催化剂的NH3-TPD谱图.emf.png

ZSM-5负载催化剂的NH3-TPD谱图

5.CO2-TPD谱图

测试条件:取0.1g不同焙烧温度处理的CuO基催化剂在He气氛150 oC下处理1 h,后降温至40 oC,转为CO2吸附1 h后再通入He进行吹扫,待基线平稳后程序升温至800 oC,桥流120 mA,载气He流量40 ml/min

不同焙烧温度处理的CuO基催化剂的CO2-TPD谱图.emf.png

不同焙烧温度处理的CuO基催化剂的CO2-TPD谱图


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